据相关媒体音尘，国度学问产权局信息显露，成王人海威华芯科技有限公司央求一项名为“一种氧化镓 MOSFET 沟说念型器件的制造次第”的专利，公开号 CN 119028826 A，央求日历为 2024 年 8 月。

　　专利摘抄显露，本发明公开了一种氧化镓 MOSFET 沟说念型器件的制造次第体育游戏app平台，属于半导体工夫限制，主要包括：在 6 吋碳化硅基板上键合 4 吋氧化镓外延层；在所述氧化镓外延层上筹划源极、栅极以及漏极，其中将栅极筹划为棋盘矩阵型，增多栅极金属的肖特基往来面积。该发明外延结构给与超宽禁带半导体材料氧化镓，聚合栅极的特殊筹划，关于高功率器件的崩溃电压有显赫的擢升。同期让小于 6 吋外延晶圆片兼容 6 吋半导体工艺过程。